指导教师：
[第一指导教师]姓名：陈琦;单位：;专业技术职务：副教授
[第二指导教师]姓名：胡连军;单位：;专业技术职务：讲师
项目简介：
化学机械抛光（CMP）是唯一能够实现集成电路（IC）多层互连局部和全局平坦化的核心技术，对IC向高集成、高速度和高性能化发展起着重要的支撑作用。然而，中国CMP理论研究还处于初级阶段，对CMP抛光液的需求也主要依赖于进口。
本项目在碱性条件下，针对14 nm以下技术节点新型阻挡层材料钴（Co）CMP过程中存在的表面缺陷、电偶腐蚀、去除速率选择性等关键问题，从材料、技术和理论等方面进行深入研究。采用静态电化学方法研究抑制剂对Cu和Co表面质量的影响，并结合分子模拟和表面化学分析法深入探讨相关抑制机理；采用动态电化学装置研究化学添加剂对Cu/Co电偶腐蚀的抑制机理；采用抛光实验研究抛光液组分对Cu/Co去除速率的影响，并揭示选择性控制机理。通过上述研究拟开发一款满足IC工业要求的Co阻挡层抛光液，相关成果对微电子领域的科学研究具有重要的指导意义。